天岳先进深耕于半导体材料领域，其2024年营收为18.3亿元

发布时间：2025年09月28日

一、主要业务

山东天岳先进科技股份有限公司是中国领先的宽禁带半导体材料研发制造企业，成立于2010年，2022年登陆科创板。公司专注于碳化硅（SiC）半导体衬底材料的研发、生产与销售，构建了从晶体生长、晶圆加工到外延制备的全产业链能力，产品涵盖4-8英寸导电型/半绝缘型碳化硅衬底、外延片及功率器件等核心品类，广泛应用于新能源汽车、5G通信、智能电网、工业控制等高端领域。作为国家级制造业单项冠军企业，天岳先进自主研发的6英寸碳化硅衬底微管密度＜1个/cm²，电阻率均匀性达95%，性能对标美国Wolfspeed、德国SiCrystal等国际巨头。公司产品进入国家电网、华为、比亚迪等龙头企业供应链，半绝缘型碳化硅衬底全球市场份额位居前列，并参与制定《碳化硅单晶衬底技术要求》行业标准。近年来，公司积极布局8英寸衬底、超导材料等前沿领域，推动半导体材料向大尺寸、低缺陷方向发展。

2024年山东天岳先进科技股份有限公司营收情况

二、核心竞争力分析

1、全链条晶体生长技术与工艺创新能力

天岳先进的核心竞争力首先体现在“原料-晶体-加工”的全流程技术布局上。公司突破高温气相传输法生长技术，实现6英寸碳化硅单晶位错密度＜5000个/cm²，结晶质量达国际先进水平；在晶圆加工领域，开发出精密研磨与抛光工艺，表面粗糙度＜0.1nm，翘曲度＜15μm。技术延伸性强，将衬底技术迁移至外延领域，开发出高压外延片，厚度均匀性达±2.5%，击穿场强提升至3MV/cm。产业链协同上，高纯碳化硅粉料等关键原料自主化率超80%，成本较进口降低30%，并建成智能化生产线，产品良率达70%以上。

2、高端市场准入与产业链协同能力

通过“材料-器件-应用”的垂直整合模式，公司构建了高壁垒的客户生态。为新能源汽车定制的导电型衬底，支持1200V功率器件制造，能量损耗降低50%；在5G基站领域，开发的半绝缘型衬底满足毫米波频段需求，介电常数达9.7，损耗角正切值＜0.002。服务创新上，建立“应用数据库”，积累超千种工况参数；设立联合实验室，与客户共同优化器件设计，产品迭代周期缩短40%。头部客户认证通过率超90%，并主导制定《新能源汽车用碳化硅器件衬底规范》团体标准。

3、技术前瞻与产业生态布局能力

天岳先进以“成熟产品保规模、前沿技术拓增量”战略把握能源电子机遇。技术端布局8英寸衬量产线，开发出低应力生长工艺，晶体直径达200mm，成本降低30%；在超导领域，推出氮化镓-on-碳化硅异质集成技术，热导率提升至490W/m·K。产学研合作方面，与山东大学共建“宽禁带半导体联合实验室”，攻关液相法生长技术；国际化上，通过车规级AEC-Q101认证，产品进入欧洲汽车电子供应链，海外收入占比提升至25%。