2024年氮化镓半导体器件行业发展态势：2024-2029年全球市场CAGR增长达21.6%

2024年全球氮化镓半导体器件市场规模达16.8亿美元，预计在2024-2029年预测期内将以21.6%的复合年增长率增长。

全球氮化镓半导体器件市场规模分析（亿美元）

 

数据来源：贝哲斯咨询

驱动因素

氮化镓的带隙优于硅，使其成为大功率应用的首选；

优异的热传导性、最佳的开关频率、高击穿电压和动态电气特性；

电力电子领域日益增长的高速革命；

宽带隙技术向尽可能宽的范围激增。

地域概况

2024年北美凭借其在氮化镓半导体技术上的大量投资以及各行业垂直领域对先进电子技术的采用，占据主导地位。美国领先的半导体制造商，如德州仪器和安森美半导体公司，都有氮化镓研究项目，显示了其大量的技术投资。此外，政府也在积极推动高能效设备的采用，鼓励减少市场中的能源损耗。

在预测期内，亚太地区的氮化镓半导体器件市场预计将实现最快增长，原因是随着城市化进程的加快，消费电子产品不断增加，汽车行业中集成电子产品的增加，以及该地区技术的快速进步。

中国、印度和东南亚国家等新兴经济体在消费电子和企业电子产品中的LED使用量激增，这证实了对高频器件和晶片行业的需求，从而推动了市场的发展。

氮化镓半导体器件市场细分
1.产品细分
氮化镓射频器件	光半导体		功率半导体
2024年光半导体市场占据全球市场最高份额，LED、笔记本电脑和手持电子设备等消费电子产品以及要求提高效率的工业应用对该细分市场的需求不断增长，推动了该细分市场的发展
2.元件细分
晶体管		二极管
整流器	功率集成电路		其他
随着电信行业基站对大功率晶体管需求的增加，基于氮化镓的功率晶体管在蓬勃发展的4G技术中的应用也随之激增